Samsung Electronics MZ-V9S2T0BW

16 882,01 ₽

Назначение:

Клиентские ПК

Интерфейс:

PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Форм-фактор:

M.2 2280

Емкость накопителя:

2000

Тип памяти:

V-NAND

Средняя наработка на отказ:

1500000

Скорость последовательного чтения:

7250

Скорость последовательной записи:

6300

Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32):

1000000

Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32):

1350000

TBW твердотельного накопителя:

1200

DRAM буфер:

да