Samsung Electronics MZ-V9S2T0BW
Характеристики товара
Назначение:
Клиентские ПК
Интерфейс:
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Форм-фактор:
M.2 2280
Емкость накопителя:
2000
Тип памяти:
V-NAND
Средняя наработка на отказ:
1500000
Скорость последовательного чтения:
7250
Скорость последовательной записи:
6300
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32):
1000000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32):
1350000
TBW твердотельного накопителя:
1200
DRAM буфер:
да
Похожие товары
Samsung MZ-V9E2T0BW
23 235,57 ₽
Kingston SFYRDK/2000G
22 536,29 ₽
ADATA SSD LEGEND 960 MAX
39 035,74 ₽
ADATA SSD GAMMIX S70 BLADE AGAMMIXS70B-1T-CS
20 190,60 ₽
Вы недавно смотрели:
